研發(fā)投入翻倍!中微公司存儲領(lǐng)域刻蝕機終于頂上來了!
2025年2月27日,中微公司發(fā)布了2024年業(yè)績快報。在業(yè)績增長的同時,中微公司的研發(fā)投入呈現(xiàn)爆發(fā)式增長,達24.52億元,同比增長約94.31%,近乎翻倍。相比之下,中微公司2024 年營業(yè)收入約 90.65 億元,同比增長44.73%;歸母凈利潤為13.88億元,同比增長16.52%。
中微公司解釋稱,研發(fā)投入如此高增長的原因是:由于市場對中微開發(fā)多種新設(shè)備的需求急劇增長,2024 年公司顯著加大研發(fā)力度,以盡快補國產(chǎn)半導體設(shè)備短板,實現(xiàn)趕超,為持續(xù)增長打好基礎(chǔ)。
中微公司還強調(diào),公司研發(fā)新產(chǎn)品的速度顯著加快,過去通常需要三到五年開發(fā)一款新設(shè)備,現(xiàn)在只需兩年或更短時間就能開發(fā)出有 競爭力的新設(shè)備,并順利進入市場。
不過,中微公司的解釋依舊沒有講清楚公司在2024年取得的具體技術(shù)進展。為此,芯辰大海查閱了中微公司2024年至2025年的主要公告,總結(jié)出中微公司的三大技術(shù)進展,具體情況如下:
在實驗室實現(xiàn)原子級操控 精度達到0.02納米
先說中微公司的刻蝕設(shè)備在實驗室能夠達到的最大操作精度。
在2024年半年度業(yè)績說明會中,中微公司董事長尹志堯表示,中微半導體已經(jīng)實現(xiàn)技術(shù)突破,氧化硅、氮化硅、多晶硅三種材料均可以實現(xiàn)0.02納米的準確度,相當于每次加工一個原子。
當然這一技術(shù)依舊處于實驗室階段,還未量產(chǎn)。不過,目前全球刻蝕機巨頭 LAM Research、TEL 等國外刻蝕機巨頭其量產(chǎn)能力還停留在5nm、3nm階段,雖然中微半導體的0.02nm只是在實驗室取得成功,但也足見中國半導體產(chǎn)業(yè)的崛起速度。
存儲領(lǐng)域刻蝕機獲得重大突破 可用于128層以上堆疊
中微公司在存儲領(lǐng)域刻蝕機上的突破,即是技術(shù)上的,也是市場上的。
先說市場方面的突破,在2024年8月的投資者交流活動中,中微公司表示:預計2024年前三季度的累計新增訂單超過75億 元,同比增長超過50%;公司預計2024年的累計新增訂單將達到110-130 億元。
同時中微公司強調(diào):公司2024年上半年新增訂單中,來自存儲客戶的占比較高。先進制 程(包括先進邏輯及存儲)占比超過70%。
那么,為什么中微公司新增訂單中,來自存儲客戶的占比較高呢?這是因為中微公司在存儲領(lǐng)域使用的刻蝕機上,取得了重大突破。
中微公司2024年半年報顯示,公司在研項目中,排名第一的是“用于存儲器刻蝕的CCP刻蝕設(shè)備”,該項目的具體應用前景為“3D NAND,>=128層”。
中微公司介紹,該項目當前的進展是: Beta機客戶端已完成溝道刻蝕(深寬 比60:1)等4道工 藝的驗證,已展開大規(guī)模量產(chǎn)。
除了上述刻蝕技術(shù),中微公司還積極布局超低溫刻蝕技術(shù),在超低溫靜電吸盤和新型刻蝕氣體研究上投入大量資源,積極儲備更高深寬比結(jié)構(gòu) (≥90:1)刻蝕的前衛(wèi)技術(shù)。多款I(lǐng)CP設(shè)備在先進邏輯芯片、先進DRAM和3D NAND產(chǎn)線驗證推進順利并陸續(xù)取得客戶批量訂單。
并且對于上述設(shè)備的市場前景,中微公司也是充滿信心,公司表示:存儲器件從2D至3D的轉(zhuǎn)換的過程中,需要大量采用多層材 料薄膜沉積和極高深寬比結(jié)構(gòu)的刻蝕,等離子體刻蝕和薄膜制程成為最關(guān)鍵的步驟。因此,我們相信未來這兩類設(shè)備的需求量和價值量會繼續(xù)提升。
薄膜設(shè)備:六種 LPCVD 薄膜設(shè)備已經(jīng)順利進入市場
在2024年業(yè)績快報中,中微公司表示,公司為先進存儲器件和邏輯器件開發(fā)的六種 LPCVD 薄膜設(shè)備已經(jīng)順利進入市場,2024 年收到約4.76億元批量訂單,實現(xiàn)銷售收入已達到約1.56億元。
具體技術(shù)進展方面,在2024年中報中,中微公司強調(diào),公司鎢系列薄膜沉積產(chǎn)品可覆蓋存儲器件所有鎢應用,并已完成多家邏輯和存儲客戶對CVD/HAR/ALD W鎢設(shè)備的驗證,取得了客戶訂單。中微公司還規(guī)劃了多款CVD和ALD設(shè)備,增加薄膜設(shè)備的覆蓋率,進一步拓展市場。
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